WT-2000型少子寿命测试仪

型号：

WT-2000

产地：

其他国家

北京飞凯曼科技有限公司提供匈牙利Semilab公司WT-2000型、WT-1200A、WT-1200B型、WT-1000型少子寿命测试仪。

少子寿命测试仪主要应用于半导体/光电/光伏材料（单晶/多晶硅片及硅锭）的工艺控制及测试手段。通过测量少子寿命，可做出晶体生长及工艺过程引入的缺陷图及硅片中的Fe元素污染图。仪器主要功能有微波光电导衰减法测少子寿命，光诱导电流测试，无接触方块电阻测试，涡流场体电阻率测试，Fe元素含量测试。

WT-2000型少子寿命测试仪主要技术指标:
    
1. 微波光电导衰减法测少子寿命:
　1.1 寿命测试范围：0.1 us – 30 ms  
　1.2 测试分辨率：0.1%  
　1.3扫描分辨率：0.5,1,2,4,8,16mm 
　1.4 样品的电阻率范围：0.1 – 1000 ΩCM 
　1.5 测试光点直径：1mm 
　1.6 测试速度：30ms/数据点
　1.7 最大测试点数：超过360000 
　1.8激光源波长：904nm 
　1.9光源脉冲宽度：200ns,fall time 10ns
2. 光诱导电流测试
　2.1 扫描区域：最大210 ? 210 mm 
　2.2 测试电流范围：1 uA – 1mA 
　2.3 光源波长：403，880，950，980 nm 
　2.4 选加功能：硅片，电池的上述激光波长反射率扫描，电池的IQE，EQE扫描 
　2.5 通过两个以上的激光器，可以计算少数载流子的扩散长度
3. 方块电阻测试:
　　无接触方块电阻测试功能，以取代传统的四探针
　3.1 可测试样品：np or pn structure 
　3.2 测试范围：10 Ω/sq to 1000Ω/sq 
　3.3 测试分辨率：2% 
　3.4 扫描分辨率：10mm 
　3.5 测试精度：< 3% 
　3.6 测试重复性：< 1%
4. 体电阻率扫描:
　　涡流场测试，无接触，无损伤测试
　4.1 测试范围：0.5 – 20 ΩCM      
　4.2 测试精度： 3-6 %  
　4.3 测试重复性： 2%            
　4.4 探头直径：5 mm
5. p型硅样品，范围：Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3

详细技术参数请咨询我们。

少子寿命是描述半导体 材料特征方程的基本参数之一,对器件特性的精确描述起着重要作用,特别是对以PN结为基本结构的器件,额外载流子的产生与复合在PN结的状态转换过程中起着决定性的作用,因而少子寿命是决定PN结型器件工作特性的关键材料参数之一。

　　太阳电池的转换效率主要依赖于基区的少子寿命.少子寿命越长光照产生的过剩载流子越可能到达PN结,受PN结电场分离后对外产生光电流,同样由于暗电流的降低可增加太阳电池的开路电压,所以大部分生产商都在生产前检验原始材料的一些关键性参数,光伏工业生产中最常见的测试就是少子寿命的测试,通过对原始材料的寿命测量预测成品太阳电池的效率。

　　少子寿命测试仪采用微波光电导衰减法（ASTM国际标准-1535）的测试原理，提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试，主要是通过904nm波长的激光激发出硅片,硅棒或硅锭体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而判断该硅片,硅棒或硅锭的缺陷、沾污情况。该设备主要应用于硅棒，硅片的出厂、进厂检查，生产工艺过程的沾污检测等。特别是在太阳能领域，少子寿命将直接关系到成品电池的效率，是必备的检测手段。

　　少子寿命测量仪可测量半导体的少子寿命。少子寿命值反映了太阳电池表面和基体对光生载流子的复合程度，即反映了光生载流子的利用程度。少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性参数，它对晶体硅太阳能电池的光电转换效率有重要的影响，可以说硅电池的转化效率和少子寿命成正向相关对应关系。

　　少子寿命测量仪采用微波光电导衰减法（SEMI国际标准-1535）的测试原理，即通过激光激发出硅体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而计算出少子寿命值，为半导体提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试。该仪器测量少子寿命的精度达到ns级，分辨率达1%，测试结果准确性好、重复性高，完全能满足太阳能级硅电池的少子寿命测试。目前该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法。

主要特点：

适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm

全自动操作及数据处理

对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理

能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭

可以选择测试样品上任意位置

能提供专利的表面化学钝化处理方法

对各道工序的样品均可进行质量监控：

硅棒、切片的出厂、进厂检查
扩散后的硅片
表面镀膜后的硅片以及成品电池

　　
性能指标：

测试材料： 硅、锗等

样片电阻率范围： 0.1 - 1000Wcm

激光波长： 904nm

光斑直径： 10mm²

微波源： 可调频率10.3GHz

少子寿命测试范围： 100ns - 20ms

测试分辩率： 0.1%

测试时间： 30ms/数据点

可以提供单点或连续测试


主要应用：

　　材料的质量控制

硅片、棒的出厂、进厂检查

硅片的重金属沾污测试

　　工艺过程质量控制

生产过程中的硅片质量监测

氮化物镀膜
金属化
磷扩散

 




注：该仪器未取得中华人民共和国医疗器械注册证，不可用于临床诊断或治疗等相关用途