中科大丁泽军团队为主导的半导体线宽精确测量国际标准正式公布

　　【仪器仪表网 政策标准 www.yqybw.cn】中国科学技术大学称，国际标准化组织(ISO)正式公布了一个国际标准：“基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法”。该标准是由中科大丁泽军团队为主导制定的。据媒体报道，该类标准是属于半导体检查测量领域由中国为主导制定的国际标准。

　　半导体检测测量技术对半导体行业的未来发展起着尤为重要的作用。现阶段，丁泽军团队发展了专业的用以扫描电子显微术和表面电子能谱学的MonteCarlo模拟计算方法，并融合了“基于模型数据库”(MBL)方法，明确提出了“基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法”的ISO国际标准(IS)。

　　标准指定了利用CD-SEM成像表征刻蚀线宽的结构模型及其相关参数、MonteCarlo模拟模型和成像扫描线计算方法、图像匹配拟合程序和CD参数定值法等内容。与传统意义的方法相比较，该方法可以得出精确的CD值，而且把线宽精确测量从单一参数扩展到包含结构形貌特征的信息，比较适用于如晶圆上的栅极、光掩模、尺寸小至10nm的单个孤立的或密集的线条特征图案。该标准不但为半导体刻蚀线宽的CD-SEM精确评测明确了行业标准，也为一般纳米级尺寸的其它测量方法给予了参照。